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我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

作者:bc体育 时间:2021-08-24 00:14
本文摘要:前不久,863计划技术设备生产技术领域“大容量SiC原材料与元器件的生产机器设备与生产工艺科学研究”课题研究根据了技术性工程验收。一般来说,国际性上把碳碳复合材料(SiC)、氮化镓(GaN)等长禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。

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前不久,863计划技术设备生产技术领域“大容量SiC原材料与元器件的生产机器设备与生产工艺科学研究”课题研究根据了技术性工程验收。一般来说,国际性上把碳碳复合材料(SiC)、氮化镓(GaN)等长禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在带隙、击穿场强、电子器件饱和飘移速率、导热系数等综合性物理学特点上具有更加引人注意的综合性优点,特别是在在抗高电压、高溫等层面性能更为明显,因为第三代半导体材料的生产武器装备对机器设备真空值、高溫制冷性能、溫度线性度及其高性能温场产自、机器设备可信性等立即危害SiC单晶衬底品质和良品率的核心技术有很高的回绝,一直以来牵制着在我国第三代半导体材料的产业化、产业发展发展趋势。

在我国863计划的抵制下,由新疆省天科合达高清蓝光半导体材料有限责任公司协同,中国科学院物理研究所、半导体材料研究室、浙大等企业协同参与的研发部门成功研制开发了合乎髙压SiC电力工程电子元器件生产需要的4-6英寸SiC单晶生长发育炉重要武器装备,组成了在我国具有自我约束专利权的4-6英寸SiC单晶生长发育炉重要武器装备管理体系。

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